Détermination de l'oxygène dans les plaquettes de silicium avec O836Si

L'oxygène est une impureté critique dans les tranches de silicium monocristallin qui peut précipiter pendant le traitement thermique et nuire aux performances et à la fiabilité des dispositifs. Cette note d'application aborde l'importance de la détermination de l'oxygène dans la fabrication des tranches de silicium et explique comment la surveillance de la concentration d'oxygène permet aux fabricants d'optimiser les méthodes de production et d'obtenir des substrats semi-conducteurs cohérents et de haute qualité.